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J-GLOBAL ID：200902108422053600   整理番号：96A0429461

金属-誘発横方向結晶化による低温ポリシリコン薄膜トランジスタの製作

Low Temperature Poly-Si Thin-Film Transistor Fabrication by Metal-Induced Lateral Crystallization.

著者 (2件)： LEE S-W (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JOO S-K (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 17  号： 4  ページ： 160-162  発行年： 1996年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリシリコンTFTに対する新しい低温結晶化法:金属-誘発横方...

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,...
準シソーラス用語： MILC

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘発 ,  横方向 ,  結晶化 ,  低温ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ ,  製作