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J-GLOBAL ID：200902108592171080   整理番号：94A0451011

GaSb中間層によるGaAs/Siの転位低減

Reduction of Dislocation by GaSb Intermediate Layer in GaAs on Si.

著者 (6件)： 内田秀雄 (名古屋工大) ,  藤井健一 (名古屋工大) ,  曽我哲夫 (名古屋工大) ,  西川広信 (名古屋工大) ,  神保孝志 (名古屋工大) ,  梅野正義 (名古屋工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 41st  号： Pt 1  ページ： 208  発行年： 1994年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaSb ,  中間層 ,  GaAs ,  Si ,  転位