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J-GLOBAL ID：200902108663590011   整理番号：96A0192579

SIMOXウエハの最表面シリコンの上部及び底部界面における高温熱酸化過程

Investigations on High-Temperature Thermal Oxidation Process at Top and Bottom Interfaces of Top Silicon of SIMOX Wafers.

著者 (9件)： NAKASHIMA S (NTT Electronics Technol. Corp., Atsugi, JPN) ,  KATAYAMA T (Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN) ,  MIYAMURA Y (Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN) ,  MATSUZAKI A (Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN) ,  KATAOKA M (Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN) ,  EBI D (Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN) ,  IMAI M (Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN) ,  IZUMI K (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  OHWADA N (NTT Electronics Technol. Corp., Atsugi, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 143  号： 1  ページ： 244-251  発行年： 1996年01月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1000~1350°Cで酸化したSIMOXの構造を断面の透過型...

シソーラス用語： SIMOX ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： SIMOX ,  ウエハ ,  最表面 ,  シリコン ,  界面 ,  熱酸化 ,  過程