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J-GLOBAL ID：200902108707946676   整理番号：94A0347549

Si(111)上の1×1相における高原子密度と準安定再構成の起源

High Atom Density in the “1×1” Phase and Origin of the Metastable Reconstructions on Si(111).

著者 (2件)： YANG Y-N (Univ. Maryland, Maryland) ,  WILLIAMS E D (Univ. Maryland, Maryland)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 72  号： 12  ページ： 1862-1865  発行年： 1994年03月21日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)の1×1高温相の原子密度が7×7相よりも60%...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  1相 ,  原子密度 ,  再構成 ,  起源