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J-GLOBAL ID：200902108733988328   整理番号：93A0592385

圧電抵抗としてのn型β-SiCの特性評価

Characterization of n-Type β-SiC as a Piezoresistor.

著者 (3件)： SHOR J S (Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ) ,  GOLDSTEIN D (Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ) ,  KURTZ A D (Kulite Semiconductor Products, Inc., NJ)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 40  号： 6  ページ： 1093-1099  発行年： 1993年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧電抵抗デバイスに適したn型β-SiCの特性であるゲージ係数...

シソーラス用語： 圧抵抗効果 ,...

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分類 (1件)： 圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 圧電抵抗 ,  SiC ,  特性評価