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J-GLOBAL ID：200902108761293068   整理番号：01A1078716

パルスYAGレーザによるSiウエハの割断機構に関する研究

Studies on Cleaving Mechanism of Silicon Wafer with Pulsed YAG Laser.

著者 (4件)： 山田啓司 (金沢大 工) ,  大磯桂一 (本田技研工業) ,  細川晃 (金沢大 工) ,  上田隆司 (本田技研工業)
資料名： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
巻： 67  号： 11  ページ： 1861-1865  発行年： 2001年11月05日 
JST資料番号： F0268A  ISSN： 0912-0289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標記加工における加工条件と照射部温度の関係,および加工損傷に...

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• 沖山俊裕. レーザ割断. 精密工学会誌. 1994, 60,2, 196
• 今井康文. ぜい性材料の熱応力による割断加工の可能性. 日本機械学会論文集. 1989, 55,509,A, 2764
• 黒部利次. 液晶ディスプレイ(STN方式)表示用基板ガラスのYAGレーザによる割断. 精密工学会誌. 1997, 63,7, 1018
• 黒部利次. YAGレーザによるシリコンウエハの精密割断. 精密工学会誌. 1996, 62,1, 95
• 上田隆司. YAGレーザによる歯科治療に関する研究(第1報). 精密工学会誌. 2000, 66,1, 1388

タイトルに関連する用語 (4件)： パルス ,  YAGレーザ ,  Siウエハ ,  研究