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J-GLOBAL ID：200902108770617933   整理番号：98A0426448

1.8V,0.25μmCMOS技術を使用して作製したCMOS能動画素イメージセンサ

CMOS Active Pixel Image Sensors Fabricated Using a 1.8-V, 0.25μm CMOS Technology.

著者 (4件)： WONG H-S P (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  CHANG R T (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  CRABBE E (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  AGNELLO P D (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 45  号： 4  ページ： 889-894  発行年： 1998年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題高性能CMOS論理技術を使用した能動画素イメージセンサを...

シソーラス用語： *イメージセンサ ,...

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分類 (2件)： 撮像・録画装置  (ND12032E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 作製 ,  CMOS ,  画素 ,  イメージセンサ