選択領域有機金属気相エピタクシーで成長させたGaAsのドット-線結合構造とその単一電子デバイスへの応用

NAKAJIMA F; OGASAWARA Y; MOTOHISA J; FUKUI T

文献

J-GLOBAL ID：200902108998181299 整理番号：01A0912596

選択領域有機金属気相エピタクシーで成長させたGaAsのドット-線結合構造とその単一電子デバイスへの応用

GaAs dot-wire coupled structures grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy and their application to single electron devices.

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巻： 90 号： 5 ページ： 2606-2611 発行年： 2001年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

周期的ナノファセットを持つGaAsドット配列とドット-線結合...

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半導体薄膜 , トランジスタ

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