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J-GLOBAL ID：200902109028493057   整理番号：99A0863969

フェニルジアミンと処理した酸化インジウム-すずの界面の光電子放出研究

Photoemission study of the interface between phenyl diamine and treated indium-tin-oxide.

著者 (5件)： LE Q T (Univ. Rochester, New York) ,  NUEESCH F (Univ. Rochester, New York) ,  ROTHBERG L J (Univ. Rochester, New York) ,  FORSYTHE E W (Univ. Rochester, New York) ,  GAO Y (Univ. Rochester, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 10  ページ： 1357-1359  発行年： 1999年09月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる仕事関数をもつ酸化インジウム-すず(ITO)とN,N′...

シソーラス用語： *有機半導体 ,...
準シソーラス用語： ITO【固溶体】

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

物質索引 (1件)： N,N′-ジ(1-ナフチル)-N,N′-ジフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミン

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化インジウム ,  すず ,  界面 ,  光電子放出 ,  研究