文献

J-GLOBAL ID：200902109110719756   整理番号：01A0277916

GaN電子デバイスの作製と性能

Fabrication and performance of GaN electronic devices.

著者 (4件)： PEARTON S J (Univ. Florida, FL, USA) ,  REN F (Univ. Florida, FL, USA) ,  ZHANG A P (Univ. Florida, FL, USA) ,  LEE K P (Univ. Florida, FL, USA)
資料名： Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： R30  号： 3/6  ページ： 55(1)-55(2),55-212  発行年： 2000年12月01日 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温動作が可能なハイパワー電子デバイスに適した半導体材料の一...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0277916&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0341A") }}

分類 (4件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  電子デバイス ,  作製