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J-GLOBAL ID：200902109185505514   整理番号：03A0063641

水素化Si結晶の電子照射中,点欠陥の移動エネルギー

Migration energies of point defects during electron irradiation of hydrogenated Si crystals.

著者 (6件)： SUEZAWA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKADA Y (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  TAMANO T (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  TANIGUCHI R (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  HORI F (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  OSHIMA R (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 66  号： 15  ページ： 155201.1-155201.6  発行年： 2002年10月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子照射による点欠陥の発生率と移動度を研究するため,水素化S...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化 ,  Si結晶 ,  電子照射 ,  点欠陥