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J-GLOBAL ID：200902109441256942   整理番号：94A0179844

多孔質シリコン層に与える基板の影響 (1)

Effect of Substrate Crystallinity on Properties of Anodized Porous Silicon.

著者 (8件)： 大野公隆 (シャープ) ,  中村好伸 (シャープ) ,  宇城共子 (シャープ) ,  田中潤一 (シャープ) ,  松岡俊匡 (シャープ) ,  谷口浩 (シャープ) ,  高木俊公 (シャープ) ,  赤木与志郎 (シャープ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 2  ページ： 713  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (1件)： 多孔質シリコン層