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J-GLOBAL ID：200902109468025942   整理番号：02A0472286

電気化学プロセスによるInPポーラス構造の形成とその応用 (3)

著者 (3件)： 平野哲郎 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 3  ページ： 1407  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： SEM【電顕】

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学 ,  プロセス ,  InP ,  ポーラス構造 ,  応用