室温のGaAs/AlGaAs量子井戸における電子スピン緩和に及ぼす電子-正孔相互作用の効果

GOTOH H; ANDO H; SOGAWA T; KAMADA H; KAGAWA T; IWAMURA H

文献

J-GLOBAL ID：200902109571996140 整理番号：00A0437042

室温のGaAs/AlGaAs量子井戸における電子スピン緩和に及ぼす電子-正孔相互作用の効果

Effect of electron-hole interaction on electron spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum wells at room temperature.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=00A0437042&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0437042&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 87 号： 7 ページ： 3394-3398 発行年： 2000年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

室温における標記量子井戸内の電子スピン緩和が空間的電子-正孔...

,...
,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0437042&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

, , , , , , ,

前のページに戻る