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J-GLOBAL ID：200902109807361280   整理番号：94A0233013

A method of obtaining high oxide to nitride selectivity in an MERIE reactor.

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著者 (2件)：
BECKER D S

BECKER D S について

(Micron Semiconductor, Inc., ID)

Micron Semiconductor, Inc., ID について

, 
BLALOCK G

BLALOCK G について

(Micron Semiconductor, Inc., ID)

Micron Semiconductor, Inc., ID について


資料名：
Proceedings of the Symposium on Highly Selective Dry Etching and Damage Control, 1993  (Proceedings of the Symposium on Highly Selective Dry Etching and Damage Control, 1993)

Proceedings of the Symposium on Highly Selective Dry Etching and Damage Control, 1993 について


ページ： 178-189  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19940194  ISBN： 1-56677-066-1  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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