GaAs(100)面上のInAs量子ドットの格子変形と相互拡散

MATSUMURA N; HAGA T; MUTO S; NAKATA Y; YOKOYAMA N

文献

J-GLOBAL ID：200902109853659294 整理番号：01A0295243

GaAs(100)面上のInAs量子ドットの格子変形と相互拡散

Lattice deformation and interdiffusion of InAs quantum dots on GaAs(100).

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資料名：
巻： 89 号： 1 ページ： 160-164 発行年： 2001年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

分子線エピタクシーによって成長させたGaAs(100)面上の...

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半導体薄膜

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