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J-GLOBAL ID：200902109855358119   整理番号：99A0624591

垂直共振器形発光InGaN量子井戸ヘテロ構造

A vertical cavity light emitting InGaN quantum well heterostructure.

著者 (9件)： SONG Y-K (Brown Univ., Rhode Island) ,  ZHOU H (Brown Univ., Rhode Island) ,  DIAGNE M (Brown Univ., Rhode Island) ,  OZDEN I (Brown Univ., Rhode Island) ,  VERTIKOV A (Brown Univ., Rhode Island) ,  NURMIKKO A V (Brown Univ., Rhode Island) ,  CARTER-COMAN C (Hewlett-Packard Optoelectronics Div., California) ,  KISH F A (Hewlett-Packard Optoelectronics Div., California) ,  KRAMES M R (Hewlett-Packard Optoelectronics Div., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 74  号： 23  ページ： 3441-3443  発行年： 1999年06月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化半導体で標記の構造を作製する方法を述べた。光共振器が限定...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...
準シソーラス用語： *VCSEL

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  共振器 ,  InGaN ,  量子井戸 ,  ヘテロ構造