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J-GLOBAL ID：200902109982556892   整理番号：99A0975861

表面エレクトロマイグレーションによる単一ドメインSi(001)4×3-In表面の形成

Formation of single domain Si(001)4×3-In surface by surface electromigration.

著者 (4件)： KONO S (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  GOTO T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMOMURA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ABUKAWA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 438  号： 1/3  ページ： 83-90  発行年： 1999年09月10日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の度合いのドメイン比を持つ単一ドメインSi(001)4×...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (3件)： エレクトロマイグレーション ,  単一ドメイン ,  Si