GSMBE法によるn型変調ドープ1.3μm帯InAsP MQWレーザ

文献

J-GLOBAL ID：200902110552336412 整理番号：98A0521763

1.3.MU.m InAsP/GaInAsP MQW Lasers Using n-Type Modulation Doping Grown by Gas-source MBE.

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資料名：
巻： 45th 号： 3 ページ： 1149 発行年： 1998年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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