文献

J-GLOBAL ID：200902110584378052   整理番号：93A0510949

低結晶性のSiX(X=C,N)のXAFS研究

XAFS Study of SiX (X=C or N) with Poor Crystallinity.

著者 (8件)： IMAMURA M (National Chemical Lab. Industry, Ibaraki, JPN) ,  SHIMADA H (National Chemical Lab. Industry, Ibaraki, JPN) ,  MATSUBAYASHI N (National Chemical Lab. Industry, Ibaraki, JPN) ,  SATO T (National Chemical Lab. Industry, Ibaraki, JPN) ,  YOSHIMURA Y (National Chemical Lab. Industry, Ibaraki, JPN) ,  HANAOKA T (National Chemical Lab. Industry, Ibaraki, JPN) ,  SASAKI M (National Chemical Lab. Industry, Ibaraki, JPN) ,  NISHIJIMA A (National Chemical Lab. Industry, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Supplement  (Japanese Journal of Applied Physics. Supplement)
号： 32-2  ページ： 743-745  発行年： 1993年02月 
JST資料番号： F0885B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 試料からの全電子収量をモニタすることにより,SiのK端から9...

シソーラス用語： XANES ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0510949&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0885B") }}

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の構造決定法  (BK01070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低結晶性 ,  XAFS ,  研究