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J-GLOBAL ID：200902110587424080   整理番号：94A0222841

GaInAsP歪量子井戸活性層を用いた可視光レーザ

Visible semiconductor lasers with GaInAsP strained quantum well active layers.

著者 (8件)： 古谷章 (富士通研) ,  穴山親志 (富士通研) ,  福嶋丈浩 (富士通研) ,  鬼頭泰浩 (富士通研) ,  菅野真実 (富士通研) ,  須藤久男 (富士通研) ,  近藤真人 (富士通研) ,  棚橋俊之 (富士通研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 3  ページ： 1049  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaInAsP ,  歪 ,  量子井戸 ,  活性層 ,  可視光 ,  レーザ