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J-GLOBAL ID：200902110653084147   整理番号：95A0741781

サファイア上におけるアルミニウムドープ酸化亜鉛のエピタキシャル薄膜 I 基板の結晶方位の効果

Epitaxial Aluminum-Doped Zinc Oxide Thin Films on Sapphire: I, Effect of Substrate Orientation.

著者 (3件)： SRIKANT V (Univ. California, Santa Barbara, Calif.) ,  SERGO V (Univ. California, Santa Barbara, Calif.) ,  CLARKE D R (Univ. California, Santa Barbara, Calif.)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 78  号： 7  ページ： 1931-1934  発行年： 1995年07月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： すべての育成条件下において,A面とC面のサファイア上でZnO...

シソーラス用語： ファインセラミック ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： サファイア ,  アルミニウム ,  ドープ ,  酸化亜鉛 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  結晶方位