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J-GLOBAL ID：200902110693643610   整理番号：98A0108234

新規な変調ドープAlN/GaN絶縁ゲートヘテロ構造電界効果トランジスタと電荷制御の一次元シミュレーション

Novel AlN/GaN insulated gate heterostructure field effect transistor with modulation doping and one-dimensional simulation of charge control.

著者 (2件)： IMANAGA S (Sony Corp. Res. Center, Yokohama-shi, JPN) ,  KAWAI H (Sony Corp. Res. Center, Yokohama-shi, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 82  号： 11  ページ： 5843-5858  発行年： 1997年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記FETの垂直構造はAlN(1)/AlGaN(2)/InG...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： 変調ドープ ,  AlN ,  GaN ,  絶縁 ,  ゲート ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  電荷 ,  シミュレーション