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J-GLOBAL ID：200902110762361347   整理番号：98A0705492

低次元構造の新しい作製法 GaN系半導体の自己形成量子ドット

Novel fabrication technologies for low deimensional structures. Self-assembling III-nitride quantum dots.

著者 (2件)： 田中悟 (理研) ,  青柳克信 (理研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 67  号： 7  ページ： 828-829  発行年： 1998年07月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Siを用いたAlGaN層表面の原子レベルの改質により,二次元...

シソーラス用語： *量子ドット ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (11件)：

• 1) 川上養一,成川幸男,沢田 憲,西 條 慎,藤田静雄,藤田茂夫,中村 修二:電子通信学会論文誌C-II Vol. J81-C-11 No. 1, p. 78 (1998).
• 2) D. Leonard, M. Kishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars and P. M. Petroff: Appl. Phys. Lett. 63, 3203 (1993).
• 3) B. Daudin, F. Widmann, G. Feullet, Y. Samson, M. Arlery and J. L. Rouviere : Phys. Rev. B56, R7069 (1997).
• 4) V. Dmitriev, K. Irvine, A. Zubrilov, D. Tsvetkov, V. Nikolaev, M. Ja kobson, D. Nelson and A. Sitni-kova: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 295 (1996).
• 5) S. Tanaka, S. Iwai and Y. Aoyagi: Appl. Phys. Lett. 69, 4096 (1996).

タイトルに関連する用語 (5件)： 低次元構造 ,  作製法 ,  GaN ,  自己形成 ,  量子ドット