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J-GLOBAL ID：200902110800715255   整理番号：94A0808214

0.25μmゲート長のAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ

Microwave performance of a 0.25μm gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor.

著者 (6件)： KHAN M A (APA Optics Inc., Minnesota) ,  KUZNIA J N (APA Optics Inc., Minnesota) ,  OLSON D T (APA Optics Inc., Minnesota) ,  SCHAFF W J (Cornell Univ., New York) ,  BURM J W (Cornell Univ., New York) ,  SHUR M S (Univ. Charlottesville, Virginia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 65  号： 9  ページ： 1121-1123  発行年： 1994年08月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソース直列抵抗による外因性相互コンダクタンスの最大値が室温で...

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,...
準シソーラス用語： HFET

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート長 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ