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J-GLOBAL ID：200902110893327780   整理番号：96A0082988

Si基板上でのダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の作製

Preparation of diamond heteroepitaxial film on Si substrate.

著者 (3件)： 末定剛 (早稲田大 理工) ,  中村直文 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： New Diamond  (New Diamond)
巻： 11  号： 2  ページ： 13-20  発行年： 1995年04月 
JST資料番号： X0341A  ISSN： 1340-4792  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： エピタクシー ,...
準シソーラス用語： バイアス処理

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分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  結晶成長技術・装置  (BK13020B)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si基板 ,  作製