Si(110)表面のひ素終端

BIEGELSEN D K; BRINGANS R D; NORTHRUP J E; SCHABEL M C; SWARTZ L-E

文献

J-GLOBAL ID：200902111144271210 整理番号：93A0514302

Si(110)表面のひ素終端

Arsenic termination of the Si(110) surface.

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資料名：
巻： 47 号： 15 ページ： 9589-9596 発行年： 1993年04月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si(100)及びSi(111)表面は,その最底エネルギー配...

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半導体の表面構造

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