文献

J-GLOBAL ID：200902111249227496   整理番号：97A0920549

窒化けい素のドット配列のあるGaAs(311)B基板上の自己組織化InGaAs/AlGaAsの箱類似の構造配列の完全な空間的規則化

Perfect spatial ordering of self-organized InGaAs/AlGaAs box-like structure array on GaAs (311)B substrate with silicon nitride dot array.

著者 (4件)： KURAMOCHI E (NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  TEMMYO J (NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  TAMAMURA T (NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  KAMADA H (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 71  号： 12  ページ： 1655-1657  発行年： 1997年09月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOVPE技術を用いて標記を研究した。AlGaAs障壁層はS...

シソーラス用語： 窒化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 量子箱 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： 窒化けい素 ,  ドット ,  GaAs ,  自己組織化 ,  InGaAs ,  AlGaAs ,  箱 ,  類似 ,  構造配列 ,  規則化