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J-GLOBAL ID：200902111732924912   整理番号：99A1023323

プラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させたAlGaN/GaNヘテロ構造の分極誘起電荷及び電子移動度

Polarization-induced charge and electron mobility in AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy.

著者 (9件)： SMORCHKOVA I P (Univ. California, California) ,  ELSASS C R (Univ. California, California) ,  IBBETSON J P (Univ. California, California) ,  VETURY R (Univ. California, California) ,  HEYING B (Univ. California, California) ,  FINI P (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California) ,  SPECK J S (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 86  号： 8  ページ： 4520-4526  発行年： 1999年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波プラズマ支援MBE法により成長させたAl<sub>x<...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (11件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  分極 ,  誘起 ,  電荷 ,  電子移動度