バンドギャップの広いSiC,III-V窒化物とII-VIのZnSeベース半導体のデバイス技術

MORKOC H; STRITE S; GAO G B; LIN M E; SVERDLOV B; BURNS M

文献

J-GLOBAL ID：200902111883812164 整理番号：94A0770660

バンドギャップの広いSiC,III-V窒化物とII-VIのZnSeベース半導体のデバイス技術

Large-band-gap SiC, III-V nitride ,and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies.

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資料名：
巻： 76 号： 3 ページ： 1363-1398 発行年： 1994年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記をレビューした。SiCやGaNは熱的にも化学的にもきわめ...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 , 金属-絶縁体-半導体構造 , 固体デバイス一般

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