層状構造試料のXPS電子テイクオフ角実験の解析モデル  十分に特性化されたLangmuir-Blodgett膜の減衰長の決定

SUZUKI N; IIMURA K; SATOH S; SAITO Y; KATO T; TANAKA A

文献

J-GLOBAL ID：200902111940061952 整理番号：97A0820699

層状構造試料のXPS電子テイクオフ角実験の解析モデル十分に特性化されたLangmuir-Blodgett膜の減衰長の決定

Model for Analysis of XPS Electron Take-off Angle Experiments in Layer-structured Samples: Determination of Attenuation Lengths in a Well-characterized Langmuir-Blodgett Film.

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資料名：
巻： 25 号： 9 ページ： 650-659 発行年： 1997年08月
JST資料番号： E0709A ISSN： 0142-2421 CODEN： SIANDQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

シリコンウエハ上の単層のカドミウム10,12ペンタコサジノエ...

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高分子のスペクトル , 電子分光スペクトル , 有機化合物の薄膜

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層状構造試料のXPS電子テイクオフ角実験の解析モデル 十分に特性化されたLangmuir-Blodgett膜の減衰長の決定

層状構造試料のXPS電子テイクオフ角実験の解析モデル十分に特性化されたLangmuir-Blodgett膜の減衰長の決定