劣化の前後におけるa-Si:Hを用いたp-i-n型太陽電池の欠陥分布の変化

文献

J-GLOBAL ID：200902112010998519 整理番号：94A0402582

Defect distribution in a-Si:H-pin solar cells before and after degradation.

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資料名：
巻： 164/166 号： Pt 2 ページ： 701-704 発行年： 1993年12月
JST資料番号： D0642A ISSN： 0022-3093 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

標題について,半導体方程式に基づく内部の欠陥の三次元密度分布...

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太陽電池

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