信頼性向上のためのSiC上絶縁体の調査

LIPKIN L A; PALMOUR J W

文献

J-GLOBAL ID：200902112224881589 整理番号：99A0390432

信頼性向上のためのSiC上絶縁体の調査

Insulator Investigation on SiC for Improved Reliability.

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資料名：
巻： 46 号： 3 ページ： 525-532 発行年： 1999年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

熱成長酸化物および酸化-窒化-酸化(ONO)けい素からなる積...

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トランジスタ , 金属-絶縁体-半導体構造

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