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J-GLOBAL ID：200902112246217810   整理番号：01A0990510

アークイオンめっきにより作製した非晶質窒化炭素薄膜の電界放出特性

Field emission properties of amorphous carbon nitride thin films prepared by arc ion plating.

著者 (4件)： SUGIMURA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SATO Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAJIMA N (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKAI O (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 142/144  ページ： 714-718  発行年： 2001年07月 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記薄膜(a-C:N)をN₂雰囲気中で...

シソーラス用語： *炭素化合物 ,...
準シソーラス用語： 黒鉛 ,...

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分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： アークイオンめっき ,  作製 ,  非晶質 ,  窒化 ,  炭素薄膜 ,  電界放出