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J-GLOBAL ID：200902112398428379   整理番号：96A0849513

半導体のパッシベーション技術 結晶系Si太陽電池の表面・バルクパッシベーション

Passivation Technologies for Semiconductors. Surface and Bulk Passivation of Crystalline Silicon Solar Cells.

著者 (2件)： 白沢勝彦 (京セラ) ,  福井健次 (京セラ)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 17  号： 9  ページ： 510-515  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 太陽電池の本格的な実用化に向けての動きが非常に活発になってき...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (16件)：

• KING, R. R. IEEE Transaction on Electron Devices. 1990, 37, 365
• CUEVAS, A. Proc. of First WCPEC. 1994, 1446
• YASUTAKE, K. J. Appl. Phys. 1994, 75, 2048
• NAGAYOSHI, H. Proc. of 13th European Photovoltaic Solar Energy Conference. 1995, 1546
• SCHOFTHALER, M. Proc. of First WCPEC. 1994, 1509

タイトルに関連する用語 (5件)： パッシベーション ,  結晶系 ,  Si ,  太陽電池 ,  バルク