文献

J-GLOBAL ID：200902112578312689   整理番号：97A0705346

Van der WaalsエピタクシーによるGaAs上でのGaSeの核形成及び成長

Nucleation and growth of GaSe on GaAs by Van der Waal epitaxy.

著者 (3件)： RUMANER L E (Univ. Washington, Washington, USA) ,  GRAY J L (Univ. Washington, Washington, USA) ,  OHUCHI F S (Univ. Washington, Washington, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 177  号： 1/2  ページ： 17-27  発行年： 1997年05月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(111)B基板上のGaSeの核形成と成長を調べて,...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0705346&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： VAN ,  エピタクシー ,  GaAs ,  GaSe ,  核形成 ,  成長