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J-GLOBAL ID：200902112744812768   整理番号：97A0667558

イオン照射を受けたフォトレジストからの電界放出

Field Emission from an Ion Irradiated Photoresist.

著者 (5件)： ASANO T (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  SHIBATA E (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  SASAGURI D (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  MAKIHIRA K (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  HIGA K (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36  号： 6B  ページ： L818-L820  発行年： 1997年06月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Arイオン照射フォトレジスト材料からの電界放出を証明した。フ...

シソーラス用語： イオン照射 ,...
準シソーラス用語： フィールドエミッタ

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分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (7件)：

• 1) C. Wang, A. Garcia, D. C. Ingram, M. Lake and M. E. Kordesch: Electron. Lett. 27 (1991) 1459.
• 2) S. Katsumata, Y. Oobuchi and T. Asano: Diamond & Related Mater. <b> 3</b> (1994) 1296.
• 3) T. Asano, Y. Oobuchi and S. Katsumata: J. Vac. Sci. & Technol. B <b> 13</b> (1995) 431
• 4) F. Y. Chuang, C. Y. Sun, H. F. Cheng, C. M. Huang and I. N. Lin: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1666
• 5) K. Ueda, S. Sudo, K. Shibata and K. Mameno: Dig. 9th Int. MicroProcess Conf., Kitakyushu, 1996 (Business Center for Academic Societies of Japan, Tokyo, 1996) p. 56.

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン照射 ,  フォトレジスト ,  電界放出