文献

J-GLOBAL ID：200902113004415435   整理番号：00A0795842

GaAs(311)A上のGaP/InP短周期超格子に自己形成された多層量子ドットの光学的性質の改善

Improvement of Optical Properties of Multilayer Quantum Dots Self-Formed in GaP/InP Short-Period Superlattices on GaAs(311)A.

著者 (8件)： WATANABE D (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NOH J-H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUDETA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI J (Kwansei-Gakuin Univ., Hyogo, JPN) ,  MATSUDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAMI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 7B  ページ： 4601-4603  発行年： 2000年07月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記量子ドット(MQD)において,バリアならびにクラッド層と...

シソーラス用語： 多層膜 ,...
準シソーラス用語： りん化ガリウムインジウム ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (6件)：

• 1) S. J. Kim, H. Asahi, M. Takemoto, K. Asami, M. Takeuchi and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 4225.
• 2) S. J. Kim, H. Asahi, M. Takemoto, J. H. Noh, K. Asami and S. Gonda: Appl. Surf. Sci. 113/114 (1997) 97.
• 3) S. J. Kim, H. Asahi, K. Asami, M. Takemoto, M. Fudeta and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1540.
• 4) J. H. Noh, H. Asahi, S. J. Kim and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 3793.
• 5) J. H. Noh, H. Asahi, M. Fudeta, D. Watanabe, J. Mori and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2521.

タイトルに関連する用語 (9件)： GaAs ,  GAP ,  InP ,  短周期 ,  超格子 ,  自己形成 ,  多層 ,  量子ドット ,  光学的性質