InPをベースとする素子への導入のための歪み補償短周期超格子の加速された再現性のよい酸化

KOLEY B; KING O; JOHNSON F G; SAINI S S; DAGENAIS M

文献

J-GLOBAL ID：200902113043108531 整理番号：01A0300213

InPをベースとする素子への導入のための歪み補償短周期超格子の加速された再現性のよい酸化

Accelerated and reproducible oxidation of strain-compensated short-period superlattice structures for incorporation in InP based devices.

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資料名：
巻： 78 号： 1 ページ： 64-66 発行年： 2001年01月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

InP基板上に成長させたInAs/AlAsをベースとする歪み...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , その他の無触媒反応

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