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J-GLOBAL ID：200902113177538389   整理番号：96A0436528

ICB法によるCuInS_2-xSe_x薄膜の作製と評価

Growth and Characterization of CuInS2-xSe2 Thin Films Formed by ICB.

著者 (5件)： 平沢洋 (スタンレー電気 筑波研) ,  近藤健一 (スタンレー電気 筑波研) ,  佐野寛幸 (スタンレー電気 筑波研) ,  中村奨 (スタンレー電気 筑波研) ,  佐藤勝昭 (東京農工大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 43rd  号： 3  ページ： 1274  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  作製 ,  評価