文献
J-GLOBAL ID：200902113214863414   整理番号：95A1030016

GaNベース素子の実現

Emerging Gallium Nitride Based Devices.
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著者 (3件)：
MOHAMMAD S N

MOHAMMAD S N について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA について

, 
SALVADOR A A

SALVADOR A A について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA について

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MORKOC H

MORKOC H について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA について


資料名：
Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)

Proceedings of the IEEE について


巻： 83  号： 10  ページ： 1306-1355  発行年： 1995年10月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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広いバンドギャップをもつGaN半導体素子の実現に関する現状と...
シソーラス用語：
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窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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固体デバイス一般 
(NC03010Z)

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GaN

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