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J-GLOBAL ID：200902113409277650   整理番号：01A0247921

完全空乏化SOI MOSFETのしきい値電圧のSOI厚み敏感性に関するバックゲート効果

Back Gate Effects on Threshold Voltage Sensitivity to SOI Thickness in Fully-Depleted SOI MOSFETs.

著者 (7件)： NOGUCHI M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  NUMATA T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MITANI Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SHINO T (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  KAWANAKA S (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  OOWAKI Y (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 22  号： 1  ページ： 32-34  発行年： 2001年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全空乏化(FD)SOI MOSFETにとって,バックゲート...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 敏感性

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SOI ,  MOSFET ,  しきい値電圧 ,  厚み ,  敏感性 ,  バック ,  ゲート効果