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J-GLOBAL ID：200902113520617877   整理番号：99A0283768

負のキャパシタンス現象に関連したIGBTにおける発振効果

Oscillation Effects in IGBT’s Related to Negative Capacitance Phenomena.

著者 (3件)： OMURA I (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  FICHTNER W (Swiss Federal Inst. Technol., Zuerich, CHE) ,  OHASHI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46  号： 1  ページ： 237-244  発行年： 1999年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は,負のゲートキ...

シソーラス用語： *IGBT ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： キャパシタンス ,  現象 ,  IGBT