バリスティック電子放出顕微鏡と変調分光法によるCoSi<sub>2</sub>/Si(111)界面の直接マッピング

LEE E Y; SIRRINGHAUS H; VON KAENEL H

文献

J-GLOBAL ID：200902113662640930 整理番号：95A0081190

バリスティック電子放出顕微鏡と変調分光法によるCoSi₂/Si(111)界面の直接マッピング

Direct mapping of the CoSi₂/Si(111) interface by ballistic-electron-emission microscopy and modulation spectroscopy.

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巻： 50 号： 19 ページ： 14714-14717 発行年： 1994年11月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

CoSi₂/Si(111)界面構造をマ...

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半導体の表面構造

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バリスティック電子放出顕微鏡と変調分光法によるCoSi2/Si(111)界面の直接マッピング

バリスティック電子放出顕微鏡と変調分光法によるCoSi₂/Si(111)界面の直接マッピング