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J-GLOBAL ID：200902114082080870   整理番号：95A0150273

サファイア上に成長させた光ポンプGaN膜からの室温以上での近紫外レーザ発振

Above room temperature near ultraviolet lasing from an optically pumped GaN film grown on sapphire.

著者 (5件)： YANG X H (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SCHMIDT T J (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SHAN W (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SONG J J (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  GOLDENBERG B (Honeywell Technology Center, Minnesota)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 66  号： 1  ページ： 1-3  発行年： 1995年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVD法で作製した標題のGaN膜のレーザ発振について述べ...

シソーラス用語： 半導体レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア ,  成長 ,  GaN ,  室温 ,  近紫外 ,  レーザ発振