ガス原料分子ビームエピタクシーによって成長させたGaNAs中の極めて大きいN含有量(最高10%)

文献

J-GLOBAL ID：200902114392094080 整理番号：96A0708519

Extremely large N content (up to 10%) in GaNAs grown by gas-source molecular beam epitaxy.

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資料名：
巻： 164 号： 1/4 ページ： 175-179 発行年： 1996年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

GaNAs/GaP歪単一量子井戸をGaPウエハ上に,ガス原料...

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半導体薄膜

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