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J-GLOBAL ID：200902114568855989   整理番号：99A0966207

トレンチからの横方向被覆成長によるGaN薄膜中の転位の減少

Dislocation reduction in GaN thin films via lateral overgrowth from trenches.

著者 (6件)： CHEN Y (Hewlett-Packard Co., California) ,  SCHNEIDER R (Hewlett-Packard Co., California) ,  WANG S Y (Hewlett-Packard Co., California) ,  KERN R S (Hewlett-Packard Co., California) ,  CHEN C H (Hewlett-Packard Co., California) ,  KUO C P (Hewlett-Packard Co., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 14  ページ： 2062-2063  発行年： 1999年10月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に,まず厚さ1μmのn-GaN膜をMOCVD...

シソーラス用語： 溝 ,...
準シソーラス用語： 横方向被覆成長

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： トレンチ ,  横方向被覆成長 ,  GaN ,  薄膜 ,  転位