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J-GLOBAL ID：200902114793317015   整理番号：93A0989521

GaAs/Siヘテロ界面の高分解能Zコントラストによる観察

High Resolution Z-Contrast Observations of GaAs/Si Hetero-Interfaces.
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著者 (3件)：
TAKASUKA E

TAKASUKA E について

(Sumitomo Metal Industries, Ltd., JPN)

Sumitomo Metal Industries, Ltd., JPN について

, 
CHISHOLM M F

CHISHOLM M F について

(Oak Ridge National Lab.)

Oak Ridge National Lab. について

, 
PENNYCOOK S J

PENNYCOOK S J について

(Oak Ridge National Lab.)

Oak Ridge National Lab. について


資料名：
Sumitomo Search  (Sumitomo Search)

Sumitomo Search について


号： 54  ページ： 81-86  発行年： 1993年10月 
JST資料番号： X0461A  ISSN： 0585-9131  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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GaAs/Si界面を走査型透過電顕によるZコントラスト像で観...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム について

,...
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分類 (2件)：
分類
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 
(BM03082Y)

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について

,  顕微鏡法 
(BK01040E)

顕微鏡法 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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GaAs

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, 
Si

Si について

, 
ヘテロ界面

ヘテロ界面 について

, 
高分解能

高分解能 について

, 
コントラスト

コントラスト について

, 
観察

観察 について


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