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J-GLOBAL ID：200902114831349538   整理番号：98A0583187

低濃度及び高濃度ドープGaAs/AlxGa1-xAs多重量子井戸におけるサブバンド内及びサブバンド間遷移

Intrasubband and intersubband transitions in lightly and heavily doped GaAs/AlxGa1-xAs multiple quantum wells.
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著者 (9件)：
ZHU Q-S

ZHU Q-S について

(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN について

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WANG X B

WANG X B について

(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

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ZHOU X C

ZHOU X C について

(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN について

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HE Y P

HE Y P について

(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

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ZHANG G Z

ZHANG G Z について

(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

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XIAO J

XIAO J について

(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

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SUN X H

SUN X H について

(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

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YANG H Z

YANG H Z について

(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

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DU Q G

DU Q G について

(National Lab. Surface Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

National Lab. Surface Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN について


資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 57  号： 19  ページ： 12388-12396  発行年： 1998年05月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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標題多重量子井戸で,選択則によれば禁制のサブバンド内遷移を,...
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*ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム について

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半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 
(BM08066B)

半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル について

,  半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

半導体結晶の電子構造 について

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高濃度

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GaAs

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サブバンド

サブバンド について

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サブバンド間遷移

サブバンド間遷移 について


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