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J-GLOBAL ID：200902115350636793   整理番号：99A0855550

各ナノニッケルドット上の単一の自立する多壁カーボンナノチューブの成長

Growth of a single freestanding multiwall carbon nanotube on each nanonickel dot.

著者 (9件)： REN Z F (Boston Coll., Massachusetts) ,  HUANG Z P (Boston Coll., Massachusetts) ,  WANG D Z (Boston Coll., Massachusetts) ,  WEN J G (Boston Coll., Massachusetts) ,  XU J W (State Univ. New York, New York) ,  WANG J H (State Univ. New York, New York) ,  CALVET L E (Yale Univ., Connecticut) ,  CHEN J (Yale Univ., Connecticut) ,  REED M A (Yale Univ., Connecticut)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 8  ページ： 1086-1088  発行年： 1999年08月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強ホットフィラメント化学蒸着(PE-HF-CVD)...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...

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分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 自立 ,  多壁カーボンナノチューブ ,  成長